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1.什么是MOS管？
MOS管的定义：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其属于半导体主动元件中的分立器件，能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，是电压器件。
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2.MOS管的特性
MOS管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极），S（源极），当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。
MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。
3.MOS管的常见应用
MOS管的隔离作用，其实质也就是实现电路的单向导通，它就相当于一个二级管。与直接使用二极管相比，MOS管做隔离时，可以让MOS管饱和刀捅，这样通过的电流几乎不产生压降。
（１）PMOS
PMOS管常用于管理电源的通断，属于无触点开关（无触点开关是一种由微控制器和电力电子器件组成的新型开关器件，依靠改变电路阻抗值，阶跃地改变负荷电流，从而完成电路的通断）。栅极低电平时完全导通，高电平时完全截止。而且，栅极可以加高过电源的电压，则可以用5v信号管理3.3v电源的开关，此原理也用于电平转换。
（２）NMOS
NMOS常用于管理某电路是否接地，属于无触点开关，栅极高电平时导通接地，低电平时截止。其高电平可以高过被控制部分的电源，因为栅极是隔离的。因此也可以用5v信号控制3.3v系统的某处是否接地。

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